实验室要闻
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“宽禁带半导体抗辐照功率电子器件”专题研讨会在南京大学成功举办2026年9月18-19日,由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会(简称“专委会”)主办,南京大学、中国空间技术研究院北京卫星制造厂有限公司、江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室共同承办的“宽禁带半导体抗辐照功率电子器件专题研讨会”在江苏南京顺利召开。2026.09.23Read More
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实验室3篇高水平论文成功入选IEDM 2026论文集近日,国际电子器件大会(IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2026)正式公布了本届会议的论文收录结果。江苏第三代半导体与高能效器件重点实验室(依托南京大学等单位联合建设)凭借在第三代与超宽禁带半导体材料及器件领域的突破性研究成果,共有3篇高水平学术论文成功入选,在中国大陆科研机构/实验室中并列第7位,充分彰显了实验室在宽禁带/超宽禁带半导体器件研发领域的领跑实力!了解IEDM:微电子领域的“奥林匹克”IEDM是全球微电子与半导体器件领域顶级、最具影响力的年度学术盛会,被公认为半导体器件领域的“奥林匹克盛会”。2026.09.20Read More
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京东方华灿光电与南京大学共建Micro-LED光电共封装(CPO)前沿技术校企联合实验室签约揭牌仪式举行8月25日下午,“南京大学-京东方华灿光电Micro-LED光电共封装(CPO)前沿技术校企联合实验室”签约暨揭牌仪式在南京大学仙林校区举行。南京大学党委常委、常务副校长、中国科学院院士郑海荣,京东方华灿光电股份有限公司党委书记、董事长张兆洪出席仪式。中国科学院院士、南京大学教授郑有炓受聘担任联合实验室名誉主任,京东方华灿光电副总裁、首席技术官王江波和南京大学电子科学与工程学院院长刘斌担任联合实验室联席主任。2026.08.26Read More
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Laser & Photonics Reviews:南京大学团队提出普适横向耦合表面光栅架构,实现紫光至绿光单纵模激光器摘要:近日,南京大学第三代半导体与高能效器件重点实验室庄喆、刘斌团队提出一种无需p-GaN二次外延的单片横向耦合表面光栅架构,将高阶布拉格光栅集成在传统氮化镓法布里-珀罗(Fabry-Pérot,FP)激光器的脊波导侧面。在保留原生FP腔高增益腔面设计的同时,利用光栅段提供波长选择性分布反馈,实现了从紫光、蓝光、青光到绿光的稳定单纵模输出。优化后的蓝光器件工作在450.2 nm,边模抑制比达到34 dB,连续波单模输出功率达到41 mW。2026.08.11Read More


















